小测试0508

　1 在本征半导体中进行有意掺杂各种元素，可改变材料的电学性能。请解释什么是浅能级杂质、深能级杂质，它们分别影响半导体哪些主要性质；什么是杂质补偿？杂质补偿的意义何在？ 2、试说明半导体中电子有效质量的意义和性质，并说明能带底和能带顶、内层电子和外层电子的有效质量的各自特点。

　3、什么叫复合中心？何谓间接复合过程？有哪四个微观过程？试说明每个微观过程和哪些参数有关。

　 4、⑴计算本征硅在室温时的电阻率；⑵ 但掺入百万分之一的砷(As)后，如杂质全部电离，计算其电导率比本征硅的电导率增大多少倍。

　（电子和空穴的迁移率分别为 1350cm 2 /(V.s)和 500 cm 2 /(V.s)，假使在杂质浓度小于 1×10 17 cm -3 时电子的迁移率为 850 cm 2 /(V.s)，n i =1.5×10 10 cm -3 ，硅的原子密度为 5×10 22 cm -3 。）

　5、试推导 PN 结的自建电压方程为：

　6、室温下，本征锗的电阻率为 47 Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每 10 6 个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为 4．4×10 22 ／cm 3 试求该掺杂锗材料的电阻率。设 μ n = 3600cm 2 ／V·s，μ p = 1700 cm 2 ／V·s，且不随掺杂而变化。。

　20lniA DDnN NqT kV

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